SiCステップ制御エピタキシーとデバイス応用(<小特集1>学会統合記念)
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概要
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現用半導体デバイスの物性的性能限界を凌駕するワイドギャップ半導体SiCデバイス実現のために,高品質エピタキシャル成長が試みられてきた.本報では,SiC結晶成長の歴史を概観し,SiC技術のブレークスルーにつながる高品質単結晶成長法としての「ステップ制御エピタキシー」開発に至った経緯を述べてある.本方法によってポリタイプ制御ができる概念を説明し,成長機構や物性制御について詳述して,デバイスへの応用に触れてある.さらに,SiC物性面から予測される高性能デバイス実現のために,異方位面上へのエピタキシャル成長の重要性を論じ,表面モフォロジー,高純度結晶成長法,不純物添加による物性制御の結果を示してある.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-03-31
著者
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