「励起状態活用によるシリコンヘテロ界海面制御 : 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の形成」
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概要
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新しい機能を有する次世代のSi大規模集積回路作製プロセスに向けて、絶縁膜とSiとのへテロ界面における原子結合構造ならびに電子物性の精密制御が不可欠であり、高品位のへテロ界面を低温プロセスで形成することが強く要求される。Si表面の改質(酸化、窒化など)において、エネルギー的に高い励起状態にある活性種を利用すると、低温で表面反応が促進され、原子層レベルで制御された界面形成が可能となる。本報告では、酸素活性種とSi最表面を反応させて極薄SiO2膜を形成する場合の初期酸化過程について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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