TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
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概要
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TEOSを原料としたリモートプラズマCVD法によりSiO_2膜を堆積した。二次イオン質量分析(SIMS)および赤外分光法の結果から、膜中にH_2O、OHおよびCが含まれることが分かったが、これらの含有量は、膜の堆積速度の低下とともに減少することが判明した。また、電流電圧特性の詳細な検討の結果、TEOS系SiO_2膜の電気伝導は、深いトラップを介したトンネル電流と、浅いトラップを介したホッピング電流が支配的であることが明らかとなった。本研究では、これらのトラップと膜中のH_2O、OH、Cとの関係を議論し、TEOS系SiO_2膜の電気的特性の改善方法について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
-
小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
-
小倉 卓
(株)genusion
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
-
小池 貴夫
京都大学工学部
-
小倉 卓
京都大学工学部
-
小池 貴夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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