ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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回路シミュレーションに適したフラッシュメモリセルのコンパクトモデルを提案する.このモデルでは,ホットエレクトロンによるゲート電流の発生機構として,チャネルホットエレクトロン(CHE)だけでなく,基板中での正孔のインパクトイオン化によって発生した2次電子(CHISEL)のゲート電極への注入も考慮することにより,書き込み特性の基板バイアス依存性のシミュレーション精度を向上させている.このモデルを130nmプロセスのフラッシュメモリの書き込み,消去特性のシミュレーションに適用し,本モデルがフラッシュメモリの回路設計と最適化に有用であることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-22
著者
-
小倉 卓
(株)genusion
-
荒木 康弘
株式会社ルネサステクノロジ
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
小谷 教彦
広島国際大学 社会環境科学部
-
谷沢 元昭
株式会社ルネサステクノロジ
-
清水 悟
株式会社ルネサステクノロジ
-
河井 伸治
株式会社ルネサステクノロジ
-
小倉 卓
株式会社ルネサステクノロジ
-
小林 真一
株式会社ルネサステクノロジ
-
石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
-
井上 靖朗
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
-
小谷 教彦
広島国際大 社会環境科学
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
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