High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
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概要
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- 2009-11-27
著者
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
山下 朋弘
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
西田 征男
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
井上 靖朗
株式会社ルネサステクノロジ
-
西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
清水 昭博
株式会社ルネサステクノロジ
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
芝原 健太郎
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
-
西田 征男
株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジ
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