Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Moゲートの仕事関数制御技術の研究として、窒素注入を用いる方法が知られているが界面ダメージやリーク電流増加の問題がある。このような問題は酸化膜/シリコン界面に窒素が集積し窒化物を生成することが原因と考えられる。一方、仕事関数はMo/酸化膜界面における窒素が関与したものと推定される。Mo上にTiNを堆積しここから窒素を固相拡散させるとダメージ等の影響の無い仕事関数シフトが得られることはこれを裏付けるものである。
- 2003-06-19
著者
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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日野 真毅
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
天田 高明
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
前田 展秀
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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