LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
デイープサブミクロンLOCOS素子分離において誘起される欠陥について、シリコン基板種依存性を4種類のCZ基板を用い評価した。発生する転位密度と格子間酸素濃度との相関から、転位の低減にはウェハ表面近傍の酸素析出量の制御が重要であることを示した。またシミュレーション結果より、酸化誘起ストレスに比べSi_3N_4膜真性ストレスの欠陥生成に与える影響が非常に大きいことを確認した。Si_3N_4幅の広い領域ではSi_3N_4膜真性ストレスの影響が非常に大きく、転位が低減された基板においてもストレス緩和のために積層欠陥が生成されることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
川上 信之
株式会社神戸製鋼所電子技術研究所
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
青木 康志
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
釘宮 敏洋
株式会社神戸製鋼所電子情報研究所
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
釘宮 敏洋
神戸製鋼所 電子技研
関連論文
- BIO R&D シリカ結合タンパク質「Si-tag」を利用した半導体バイオ融合デバイスの開発
- C-6-10 多孔質シリカを用いた低誘電率誘電体基板(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
- 光バスを用いたパターンマッチング回路
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- UV/光電子法を用いた減圧下での微粒子除去
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- マルチモード干渉を利用したSi光導波路の平面交差とその慣性センサへの応用
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- ダイヤモンド薄膜の微細加工技術 (特集:微細組織制御技術)
- ダイヤモンドpip形FETの開発
- ダイヤモンド紫外線LED
- 3P-2113 シリカ結合タンパク質を用いた半導体バイオ融合デバイス開発(10b バイオセンシング,分析化学,一般演題,センサー計測技術,伝統の技と先端科学技術の融合)
- 新規変調プラズマによるSiH4/H2プラズマCVDリアクター内のダスト微粒子の抑制
- ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- B-1-86 多孔質基板を用いたミリ波パッチアンテナ(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般))
- シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- デュアルゲートCMOS応用を目指したN^+注入によるMo仕事関数制御とその影響
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超LSI対応レーザー不純物活性化技術
- Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
- 傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御
- Extension形成プロセスのIn Haloプロファイルへの影響
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
- セルフリミット機構を有するシリコン窒化膜の原子層デポジション
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- 中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- 半導体搬送ボックスのUV/光電子法によるクリーン化とMOSデバイスへの影響
- 3K1045 局所空間の超クリーン化
- 光と電子が作るアメニティ--人,食品,ウエハに対する快適環境
- 光インタコネクションを有する3次元メモリ LSI
- UV/光電子クリーニング法の半導体搬送ボックスへの応用 (特集 酸化チタン光触媒の実用技術最前線) -- (応用開発事例)
- 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- C-3-48 チップ内光配線(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 正孔および電子輸送層を有する高効率Siドット発光素子
- C-3-10 Siリング光共振器を用いたバイオセンサ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- レ-ザ-誘起エッチング及びCVD
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
- 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発
- LSIにおける光配線技術
- 光結合集積回路製作技術
- Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究(シリコン関連材料の作製と評価)
- 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発
- 光インターコネクションを用いた超高速データ転送メモリLSI
- DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性