シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
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概要
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SOIウエハを用い直径20μmのマルチモードシリコンリング共振器(共振波長1500nm付近)を製作した。導波路幅は0.6〜1μm、厚さ0.3μmである。750℃の減圧(LP)CVDSi_3N_4膜(0.26μm)および700℃のLPCVDTEOS酸化膜(1μm)で導波路を覆いストレスを印加した。下部BOX層は1μmで縦方向の電界を印加した。電圧印加によってドロップポートの共振光出力が減少し、波長1501.6nm、電圧200Vで光変調率30%を得た。共振波長の短波長側シフトも観測された。
- 2007-12-07
著者
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
雨宮 嘉照
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研
-
徳永 智大
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
横山 新
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研:広島大院・先端・生命機能
-
雨宮 嘉照
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
田主 裕一朗
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
田主 裕一朗
広島大学ナノデバイス・システム研究センター:(現)東北大学国際高等融合領域研究所
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