半導体搬送ボックスのUV/光電子法によるクリーン化とMOSデバイスへの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Feasibility of a plastic wafer box with a UV/photoelectron cleaning unit (UV unit) for a practical application has been investigated. Chemical contaminant evaluations for the box air and Si wafer surface were carried out with GC/MS. Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were fabricated after the storage in various boxes before or after gate oxidation and their reliability tests were carried out. The total ion chromatogram (TIC) spectra showed a dramatical reduction of organic contaminants adsorbed on Si wafers stored in the newly developed poly-ether sulfone (PES) box equipped with the UV unit. We found that the injected charge at which the gate oxide undergoes the final hard breakdown is markedly improved by the installation of the UV unit to the PES box. However, the soft breakdown of gate oxides was so sensitive to the organic contaminants on Si surfaces that it hardly depended on the typesed of used storage boxes. We concluded that the PES/UV unit wafer box is useful for the practical wafer box.
- 日本エアロゾル学会の論文
- 2001-03-20
著者
-
吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
藤井 敏昭
(株)荏原総合研究所
-
吉野 雄信
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
藤井 敏昭
(株)荏原製作所
-
吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
-
藤井 敏昭
(株) 荏原製作所
-
鈴木 作
(株) 荏原製作所
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
吉野 雄信
広島大学ナノデバイス ・ システム研究センター
関連論文
- BIO R&D シリカ結合タンパク質「Si-tag」を利用した半導体バイオ融合デバイスの開発
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 自己集合体化技術を用いた超低誘電率多孔質シリカ膜(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
- 光バスを用いたパターンマッチング回路
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- UV/光電子法を用いた減圧下での微粒子除去
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- クリーンルームにおける空気清浄--UV/光電子法による局所空間の超クリーン化
- クリ-ンル-ム環境における汚染物の制御--UV/光電子法による超クリ-ン空間の創出
- ポーラスシリカの低誘電率絶縁膜への応用
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- マルチモード干渉を利用したSi光導波路の平面交差とその慣性センサへの応用
- p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 3P-2113 シリカ結合タンパク質を用いた半導体バイオ融合デバイス開発(10b バイオセンシング,分析化学,一般演題,センサー計測技術,伝統の技と先端科学技術の融合)
- 新規変調プラズマによるSiH4/H2プラズマCVDリアクター内のダスト微粒子の抑制
- シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- クリーンルーム空気中の有機物による表面汚染
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
- セルフリミット機構を有するシリコン窒化膜の原子層デポジション
- 中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- LSI配線の課題と光配線(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- 半導体搬送ボックスのUV/光電子法によるクリーン化とMOSデバイスへの影響
- 3K1045 局所空間の超クリーン化
- 3K1030 光触媒による有機ガス除去機構の検討
- 光と電子が作るアメニティ--人,食品,ウエハに対する快適環境
- 光と電子が作るアメニティ -人, 食品, ウエハに対する快適環境-
- クリームルーム内ガス状汚染物質の粒子化除去
- UV/触媒とUV/光電子法を利用したガス状汚染物質ならびに微粒子の同時除去技術
- クリーンルームにおける空気清浄 -局所空間の超クリーン化-
- UV/光電子法による多分散粒子の帯電法とその利用
- UV/光電子法によるガスと粒子の同時除去--局所空間の超クリ-ン化
- 光触媒とUV/光電子法によるガスと微粒子の同時除去
- UV/光電子法による壁面付着微粒子の除去の促進
- 空気清浄化技術におけるUV光の複合的利用 -微粒子/微量ガス成分の同時除去への適用-
- クリーンルームにおけるガスと粒子の同時除去
- UV/光電子法による管型微粒子除去装置の性能評価
- UV/光電子法による清浄空間中発塵の除去
- 光インタコネクションを有する3次元メモリ LSI
- UV/光電子クリーニング法の半導体搬送ボックスへの応用 (特集 酸化チタン光触媒の実用技術最前線) -- (応用開発事例)
- 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- C-3-48 チップ内光配線(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 正孔および電子輸送層を有する高効率Siドット発光素子
- 負イオンによるアメニテイおよびリフレッシュ
- C-3-10 Siリング光共振器を用いたバイオセンサ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 300mmウエハ搬送ボックスのクリーン化--光触媒とUV/光電子法によるウエハ表面の汚染防止
- レ-ザ-誘起エッチング及びCVD
- 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発
- LSIにおける光配線技術
- 光結合集積回路製作技術
- Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究(シリコン関連材料の作製と評価)
- 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発
- 特集にあたって
- 光インターコネクションを用いた超高速データ転送メモリLSI
- コンポストの腐熟度判定へのゲルパーミエーションクロマトグラフィーの応用
- DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性
- イオンクロマトグラフィーによる排ガス中窒素酸化物,硫黄酸化物及び塩化水素の迅速定量法
- イオンクロマトグラフィーによる徘ガス中窒素酸化物の迅速定量法
- コンポストの腐熟度判定への熱分解ガスクロマトグラフィーの応用
- ガスクロマトグラフィーによる窒素,酸素,一酸化窒素,一酸化二窒素,一酸化炭素,二酸化炭素,二酸化硫黄及び水の分離