自己集合体化技術を用いた超低誘電率多孔質シリカ膜(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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自己集合体化技術を用いて新規な超低誘電率多孔質シリカ膜を開発した.得られる多孔質シリカ膜の機械特性はテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)処理により、比誘電率と独立に強化する事が可能である.それにより弾性率8GPaと比誘電率2を同時に併せ持った高強度多孔質シリカ膜を実現した.十分に高い機械的強度を有した超低誘電率層間絶縁膜/銅ダマシン配線構造を実証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-26
著者
-
吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
-
石川 彰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター半導体miraiプロジェクト
-
田中 博文
三井化学
-
中野 昭典
半導体mirai-aset
-
高村 一夫
三井化学
-
清野 豊
産業総合研究所
-
秦 信宏
産業総合研究所
-
木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
-
石川 彰
半導体MIRAI-ASET
-
清野 豊
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
尾形 哲郎
半導体MIRAI-ASET
-
園田 譲
半導体MIRAI-ASET
-
後藤 隆
半導体MIRAI-ASET
-
高田 省三
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
市川 理恵
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
三好 秀典
半導体MIRAI-ASET
-
松尾 尚典
半導体MIRAI-ASET
-
吉川 公麿
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
奥 良彰
半導体MIRAI-ASET
-
山田 和弘
半導体MIRAI-ASET
-
高村 一夫
半導体MIRAI-ASET
-
藤井 宣年
半導体MIRAI-ASET
-
秦 信宏
半導体MIRAI-ASRC-AIST
-
根来 千絵
半導体MIRAI-ASRC-AIST
-
大池 俊輔
半導体MIRAI-ASET
-
田中 博文
半導体MIRAI-ASET
-
市川 理恵
半導体mirai-asrc-aist
-
木下 啓蔵
NEC
-
高田 省三
半導体mirai-asrc-aist
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
松尾 尚典
技術研究組合 超先端電子技術開発機構半導体MIRAIプロジェクト
-
吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
-
Kikkawa Takamaro
Advanced Semiconductor Research Center (asrc) National Institute Of Advanced Industrial Science And
-
木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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