0.15μm CMOS用CoSi_2サリサイド技術
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概要
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0.15μm CM0S用CoSi_2サリサイド技術として, コバルト(Co)の高温スパッタ+連続真空熱処理プロセスを提案した. 高温スパッタと連続真空熱処理プロセスは, シリサイド化反応が促進でき, その後の連続真空熱処理時にCo膜の酸化を防止できることが分かった. その結果, 本プロセスを用いることで, 0.15μmの線幅まで線幅依存性のない低抵抗のCoSi_2の形成が実現できた. 更に, 高温スパッタを行うとコバルトシリサイドのエピタキシャル成長が生じて, 高耐熱性シリサイド膜が形成できることも分かった. 高温スパッタによるエピタキシャル成長は, スパッタ時にCo/Si界面にCoSi_x層が均一かつ高い配向性で形成できるため, その後のシリサイド化反応の際にエピタキシャル成長が生じると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
安彦 仁
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井上 顕
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
吉川 公麿
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井上 顕
日本電気(株)
-
井上 顕
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
三ヶ木 郁
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
-
井上 顕
Necエレクトロニクス
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