256Mb DRAM用HSG-Siシリンダキャパシタ

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概要

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• 256MbDRAMに適用可能な半球状グレイン(HSG-Si)を表面に有するシリンダキャパシタを開発した.このHSG-Siシリンダキャパシタ構造をセル面積0.72μm^2の256MbDRAMに適用した場合,酸化膜換算5.2nmの容量膜を用い電極高さ0.40μmで30fFの蓄積容量を確保できる.シリンダキャパシタを容易に形成する方法として,減圧気相酸化膜選択エッチングによるコアBPSG膜の除去プロセスを開発した.この方法を用いることでBPSGとSiO_2のエッチング選択比は2000倍以上となった.またリンドープa-SiシリンダキャパシタへのHSG-Si形成は,高真空チャンバー中でのSi_2H_6照射を用い実現した .

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-05-28

著者

• 北島 洋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 浜田 健彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉川 公麿

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大西 貞之

  NECエレクトロニクス(株)

• 渡辺 啓仁

  Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部

• 浜田 健彦

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 本間 一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 辰己 徹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 大西 貞之

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 本間 一郎

  日本電気株式会社

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