本間 一郎 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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本間 一郎
日本電気株式会社
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渡辺 啓仁
Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部
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本間 一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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北島 洋
NEC ULSIデバイス開発研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
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吉川 公麿
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大西 貞之
NECエレクトロニクス(株)
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岡澤 武
NEC
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渡辺 啓仁
日本電気株式会社
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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白井 浩樹
NEC ULSIデバイス開発研究所
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久保田 大志
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小野 春彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所 LSI基礎研究部
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岡澤 武
NEC メモリ事業部 第2デバイス設計部
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渡辺 啓仁
NEC ULSIデバイス開発研究所
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辰己 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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大西 貞之
NEC ULSIデバイス開発研究所
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廣田 俊幸
日本電気株式会社
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
著作論文
- 256Mフラッシュメモリ用0.54μm^2 SAHF(Self-Aligned HSG Floating gate)セル
- 256Mb DRAM用HSG-Siシリンダキャパシタ
- 半導体メモリー用HSG-Siキャパシタの開発