白井 浩樹 | Necエレクトロニクス株式会社

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概要

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• Necエレクトロニクス株式会社の論文著者

関連著者

• 白井 浩樹

  Necエレクトロニクス株式会社

• 白井 浩樹

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 白井 浩樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 小山 健一

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 井上 顕

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 小山 健一

  日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所

• 岡澤 武

  NEC

• 砂村 潤

  Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構

• 砂村 潤

  日本電気株式会社

• 谷川 高穂

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 杉村 啓世

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 和気 智子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 佐甲 隆

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 坂尾 眞人

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 渡辺 啓仁

  Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部

• 金森 宏治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 久宗 義明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岡澤 武

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 横沢 亜由美

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 間部 謙三

  日本電気株式会社

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 久保田 大志

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 本間 一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小野 春彦

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所 LSI基礎研究部

• 岡澤 武

  NEC メモリ事業部 第2デバイス設計部

• 本間 一郎

  日本電気株式会社

• 斎藤 賢治

  日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部

• 小山 健一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部

• 児玉 典昭

  日本電気(株)ULSIメモリ事業部

• 白井 浩樹

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 児玉 典昭

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 金森 宏治

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 久宗 義明

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 岡澤 武

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 岡沢 武

  NECメモリ事業部

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 井上 顕

  Necエレクトロニクス

• 砂村 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 白井 浩樹

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
• MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)
• 256Mフラッシュメモリ用0.54μm^2 SAHF(Self-Aligned HSG Floating gate)セル
• 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
• トンネル酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション

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