白井 浩樹 | ルネサスエレクトロニクス生産本部
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概要
関連著者
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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白井 浩樹
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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佐甲 隆
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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井上 顕
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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坂尾 眞人
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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井上 顕
Necエレクトロニクス
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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小倉 卓
(株)genusion
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風間 賢也
NECマイクロコンピュータ事業部
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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NEC Corporation
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気(株)
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北村 卓也
日本電気(株)
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 紳太郎
日本電気(株)
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佐甲 隆
日本電気(株)
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白井 浩樹
日本電気(株)
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青木 康志
日本電気(株)
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坂尾 真人
日本電気(株)
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井上 顕
日本電気(株)
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竹内 麻美
日本電気(株)
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成竹 功夫
日本電気(株)
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川本 英明
日本電気(株)
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山本 朝恵
日本電気(株)
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岸 修可
日本電気(株)
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谷川 高穂
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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杉村 啓世
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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和気 智子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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肱岡 健一郎
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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風間 賢也
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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桑原 愼一
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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渡會 雅敏
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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佐甲 隆
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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小倉 卓
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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坂本 美里
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- 低電圧・高速用途向けDRAM混載ロジックLSI技術
- MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)
- 0.13μm世代における超高速混載DRAM技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)