林 喜宏 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
東北大
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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植木 誠
日本電気株式会杜
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小林 一雄
株式会社 岡本工作機械製作所
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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小林 一雄
(株)岡本工作機械製作所
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左光 大和
(株)岡本工作機械製作所
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山本 栄一
(株)岡本工作機械製作所
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田中 潔
(株)岡本工作機械製作所
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佐々木 直樹
(株)岡本工作機械製作所
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栗野 元一郎
(株)岡本工作機械製作所
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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木下 啓蔵
NEC
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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小林 一雄
岡本工作機械製作所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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斎藤 忍
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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大島 永康
産総研
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
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戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中島 務
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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大島 永康
産業技術総合研究所
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小倉 卓
(株)genusion
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吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
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風間 賢也
NECマイクロコンピュータ事業部
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石川 彰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター半導体miraiプロジェクト
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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中野 昭典
半導体mirai-aset
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清野 豊
産業総合研究所
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児玉 光測
(株)岡本工作機械製作所
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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国見 信孝
半導体MIRAI-ASET
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石川 彰
半導体MIRAI-ASET
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清野 豊
半導体MIRAI-産総研ASRC
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尾形 哲郎
半導体MIRAI-ASET
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高橋 秀樹
半導体MIRAI-ASET
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園田 譲
半導体MIRAI-ASET
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後藤 隆
半導体MIRAI-ASET
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高田 省三
半導体MIRAI-産総研ASRC
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市川 理恵
半導体MIRAI-産総研ASRC
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三好 秀典
半導体MIRAI-ASET
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松尾 尚典
半導体MIRAI-ASET
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足立 三郎
半導体MIRAI-ASET
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吉川 公麿
半導体MIRAI-産総研ASRC
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市川 理恵
半導体mirai-asrc-aist
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岸田 俊二
日本電気株式会社
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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高田 省三
半導体mirai-asrc-aist
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小林 明子
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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伊藤 文則
NECデバイスプラットフォーム研究所
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竹内 常雄
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山本 博規
NECデバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
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松尾 尚典
技術研究組合 超先端電子技術開発機構半導体MIRAIプロジェクト
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新澤 勉
日本電気株式会社
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菅井 和己
日本電気株式会社
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小林 明子
日電アネルバ株式会社
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中島 努
日本電気株式会社
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岡林 秀和
日本電気株式会社
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八子 忠明
住友化学工業株式会社
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恒成 欣嗣
日本電気株式会社
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村尾 幸信
日本電気株式会社
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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中沢 絵美子
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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岸田 俊二
日本電気(株)材料部品分析評価センター
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中村 友二
半導体理工学センター(starc)
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井口 学
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
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林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
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大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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田村 貴央
Necel
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
深井 利憲
Necエレクトロニクス
-
岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
大島 永康
理化学研究所
-
藤井 清
NECエレクトロニクス
-
砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
-
砂村 潤
日本電気株式会社
-
白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
佐甲 隆
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
-
吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
HAYASHI Yoshihiro
Device Platforms Research Labs., NEC.
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Kikkawa Takamaro
Advanced Semiconductor Research Center (asrc) National Institute Of Advanced Industrial Science And
-
金子 貴昭
立命館大学文学研究科 アート・リサーチセンター
-
金子 貴昭
日本学術振興会
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
著作論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 0.1μm ULSI世代の超微細アルミニウム多層配線を実現するAl-CMP技術
- 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
- 3. 45nm/32nm世代ULSI対応の最先端配線技術(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- EB直描を用いた先端デバイスの試作
- 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
- 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- サブ0.1μm次世代LSIにおけるナノ界面制御技術による銅配線信頼性制御技術
- 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)