斎藤 忍 | Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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概要
関連著者
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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大阪府立大学工学部情報工学科
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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東北大
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ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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木下 啓蔵
NEC
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会杜
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斎藤 忍
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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Necマイクロエレクトロニクス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
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小林 壮太
NEC
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天沼 一志
NECシリコンシステム研究所
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前島 幸彦
NECシリコンシステム研究所
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宮坂 洋一
NEC基礎研究所
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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田辺 伸広
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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斉藤 忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 常雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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小林 壮太
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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前島 幸彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中島 務
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天沼 一志
NEC基礎研究所
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長谷 卓
NEC基礎研究所
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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田村 貴央
Necel
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
NECシステムデバイス基礎研究本部
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宇佐美 達也
NEC先端デバイス開発本部
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廣井 政幸
NECシステムデバイス基礎研究本部
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利根川 丘
NEC先端デバイス開発本部
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柴 和利
NEC先端デバイス開発本部
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斎藤 忍
NECシステムデバイス基礎研究本部
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川原 潤
NECシリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
NECシリコンシステム研究所
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斉藤 忍
NECシリコンシステム研究所
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小野寺 貴弘
NECシリコンシステム研究所
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高橋 宗司
NECシリコンシステム研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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金子 貴昭
立命館大学文学研究科 アート・リサーチセンター
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金子 貴昭
日本学術振興会
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
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齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
- プラズマ重合BCB膜成長技術と銅ダマシン配線への適用
- 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
- InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 (シリコン材料・デバイス)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)