國尾 武光 | Necマイクロエレクトロニクス研究所

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概要

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• Necマイクロエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 松木 武雄

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 中島 務

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 田辺 伸広

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 小林 壮太

  NEC

• 天沼 一志

  NECシリコンシステム研究所

• 前島 幸彦

  NECシリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 渡嘉敷 健

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NEC Corporation

• 渡嘉敷 健

  Nec

• 渡嘉敷 健

  Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 國尾 武光

  日本電気(株)

• 浜田 昌幸

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 若林 整

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 斎藤 幸重

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 田辺 伸広

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 斉藤 忍

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 常雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 小林 壮太

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 前島 幸彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 務

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 天沼 一志

  NEC基礎研究所

• 長谷 卓

  NEC基礎研究所

• 田辺 昭

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 潔

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 山本 豊二

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 古川 昭雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 安藤 岳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 田辺 昭

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 斎藤 幸重

  NEC シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  Nec

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 芝原 健太郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 巌 庄一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 遠藤 伸裕

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 上沢 兼一

  NEC

• 最上 徹

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 國尾 武光

  Nec マイクロエレクトロニクス研

• 巌 庄ー

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 大屋 秀市

  日本電気(株)第2メモリ事業部

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

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著作論文

• TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
• ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
• 0.15μm CMOSトランジスタの特性
• ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
• 低電圧MOSFETの設計指針
• ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
• p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
• 3次元IC (半導体デバイス)
• ギガビット時代のDRAM技術

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