若林 整 | NEC(株)システムデバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  ソニー(株)

• 山品 正勝

  Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 山品 正勝

  Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 山本 亮

  ソニー(株)

• 水野 正之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 門村 新吾

  ソニー

• 住 能和

  NEC情報システムズ

• 安生 健一朗

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 山本 雄一

  ソニー(株)

• 長島 直樹

  ソニー株式会社

• 王 俊利

  ソニー(株)

• 舘下 八州志

  ソニー(株)

• 平野 智之

  ソニー(株)

• 山口 晋平

  ソニー(株)

• 宮波 勇樹

  ソニー(株)

• 田井 香織

  ソニー(株)

• 釘宮 克尚

  ソニー(株)

• 長濱 嘉彦

  ソニー(株)

• 萩本 賢哉

  ソニー(株)

• 神田 さおり

  ソニー(株)

• 長野 香

  ソニー(株)

• 田川 幸雄

  ソニー(株)

• 塚本 雅則

  ソニー(株)

• 岩元 勇人

  ソニー(株)

• 門村 新吾

  ソニー(株)

• 長島 直樹

  ソニー(株)

• 萩本 賢哉

  ソニー株式会社

• 岩元 勇人

  ソニー株式会社

• 館下 八州志

  ソニー(株)

• 舘下 八州志

  ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 門村 新吾

  ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所

• 若林 整

  NECシリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 水野 正之

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  Nec

• 深石 宗生

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 山品 正勝

  NECラボラトリーズ システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 江崎 達也

  広島大学

• 藤田 繁

  ソニー株式会社

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 若林 整

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 黛 哲

  ソニー(株)

• 山川 真弥

  ソニー(株)

• 中田 征志

  ソニー(株)

• 押山 到

  ソニー(株)

• 田中 和樹

  ソニー(株)

• 小川 浩二

  ソニー(株)

• 生田 哲也

  ソニー(株)

• 片岡 豊隆

  ソニー(株)

• 菊池 善明

  ソニー(株)

• 安藤 崇志

  ソニー(株)

• 松本 良輔

  ソニー(株)

• 藤田 繁

  ソニー(株)

• 山根 千種

  ソニー(株)

• 木村 忠之

  ソニー(株)

• 大地 朋和

  ソニー(株)

• 齋藤 正樹

  ソニー(株)

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECシリコンシステム研究所

• 黒田 忠広

  慶応大学

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 小林 胤雄

  東芝セミコンダクター社

• 杉井 寿博

  富士通

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社

• 伊藤 浩

  日本電気株式会社

• 古田 浩一朗

  NEC

• 松木 武雄

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 山品 正勝

  Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部

• 野瀬 浩一

  Nec

• 水野 正之

  NEC Corporation

• 山品 正勝

  NEC Corporation

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 井倉 裕之

  日本電気株式会社

• 安生 健一朗

  NEC Corporation

• 若林 整

  NEC Corporation

• 最上 徹

  NEC Corporation

• 堀内 忠彦

  NEC Corporation

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 斎藤 幸重

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 謙

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 泉川 正則

  NEC

• 泉川 正則

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 井倉 裕之

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 古田 浩一郎

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 伊藤 浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中島 謙

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 最上 徹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 斎藤 幸重

  NEC シリコンシステム研究所

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 川本 英明

  Necエレクトロニクス(株)

• 辰巳 徹

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 野瀬 浩二

  Nec

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著作論文

• hp32/22nmノードに向けたFEOLの技術動向 (特集 半導体プロセスを支える製造・試験装置と材料)
• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
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• TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
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• (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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• Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• High-k絶縁膜の技術トレンド (マテリアルフォーカス:エレナノ 「High-K絶縁膜」を改質するマテリアル開発の技術トレンド)
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• マサチューセッツ工科大学滞在記
• [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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