中島 謙 | NEC ULSIデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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伊藤 浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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日本電気ULSIデバイス開発研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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エルピーダメモリ
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俣野 達哉
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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日本電気ULSIデバイス開発研究所
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日本電気ULSIデバイス開発研究所
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NECシリコンシステム研究所
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NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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若林 整
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最上 徹
NEC Corporation
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堀内 忠彦
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田辺 昭
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東郷 光洋
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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古川 昭雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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ソニー(株)
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泉川 正則
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井倉 裕之
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伊藤 浩
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究所
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杉林 直彦
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杉林 直彦
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浜田 健彦
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Nec C&c Lsi開発本部
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佐伯 貴範
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山口 弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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山田 泰久
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中島 謙
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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近藤 研二
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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小野田 中
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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野末 寛
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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山田 秦久
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡辺 啓仁
Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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芝原 健太郎
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森 秀光
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大西 貞之
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山下 浩
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伊藤 勝志
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小島 義克
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小山 邦明
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洲崎 哲行
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NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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徳永 賢一
NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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小島 義克
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小野田 中
NEC ULSIデバイス開発研究所
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相崎 尚昭
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栗栖 正和
Nec C&c Lsi開発本部
著作論文
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
- 0.25μm CMOS 0.9V 100MHz DSPコア
- DSPの低電力省面積技術
- ループフィルタをディジタル化した省面積PLL回路
- 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- 0.15μm部分一括EB直描技術
- 部分一括EB対応近接効果補正処理
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- 4GビットDRAM用セル技術 (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-タ関連デバイス)
- EB直描と光リソグラフィとの高次重ね合わせ補正方法
- 0.15μm部分一括EB直描技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)