波田 博光 | 日本電気(株)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
波田 博光
日本電気(株)
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
笠井 直記
日本電気(株)
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
-
崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
-
笠井 直記
東北大学
-
石綿 延行
Necデバプラ研
-
齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
波田 博光
NECシリコンシステム研究所
-
田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
-
杉林 直彦
日本電気(株)
-
崎村 昇
日本電気(株)
-
斉藤 信作
日本電気(株)
-
永原 聖万
日本電気(株)
-
末光 克巳
日本電気(株)
-
本田 雄士
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
大嶋 則和
Necデバプラ研
-
波田 博光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
本田 雄士
Nec基礎研究所
-
斎藤 信作
Nec
-
Honda T
Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
-
深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
森 馨
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
森 秀光
日本電気(株)
-
辰巳 徹
日本電気(株)
-
田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
笠井 直記
Nec システムデバイス研
-
根橋 竜介
日本電気(株)
-
本庄 弘明
日本電気(株)
-
三浦 貞彦
日本電気(株)
-
加藤 有光
日本電気(株)
-
森 馨
日本電気(株)
-
大嶋 則和
日本電気(株)
-
鈴木 哲広
日本電気(株)
-
石綿 延行
日本電気(株)
-
深見 俊輔
日本電気(株)
-
志村 健一
日本電気株式会社
-
志村 健一
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
福本 能之
Necシステムデバイス研究所
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
尾崎 康亮
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
相本 代志治
NEC
-
古田 浩一朗
NEC
-
吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
-
小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
-
田辺 伸広
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
奈倉 健
NEC
-
小林 壮太
NEC
-
前島 幸彦
NECシリコンシステム研究所
-
國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
-
三輪 達
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
小池 洋紀
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
豊島 秀雄
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
田辺 伸広
日本電気(株)
-
清家 綾
日本電気(株)
-
竹内 英代
日本電気(株)
-
山田 純一
日本電気(株)
-
前島 幸彦
日本電気(株)
-
小林 壮太
日本電気(株)
-
奈倉 健
日本電気(株)
-
杉山 秀樹
日本電気(株)
-
長谷 卓
日本電気(株)
-
土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
-
吉川 将寿
東芝 研究開発センター
-
與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
-
池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
-
石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
-
與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
-
天野 実
東芝研究開発センター
-
伊藤 雄一
NECエレクトロニクス(株)
-
小林 洋介
NECエレクトロニクス(株)
-
木下 啓藏
日本電気(株)
-
辻 清孝
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
福本 能之
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
斎藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
國尾 武光
日本電気(株)
-
大嶋 則和
Nec
-
福本 能之
NEC
-
沼田 秀昭
NEC
-
杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
-
相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
-
甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝
-
土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
-
杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
-
田原 修一
NECシリコンシステム研究所
-
中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
浅尾 吉昭
株式会社 東芝、研究開発センター
-
與田 博明
株式会社 東芝、研究開発センター
-
中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
中島 謙
NEC Corporation
-
長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
-
斎藤 信作
日本電気(株)
-
佐伯 貴範
日本電気株式会社
-
杉林 直彦
Nec
-
浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
菅原 寛
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
芝原 健太郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
田原 修一
Nec システムデバイス研
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
室谷 樹徳
Nec
-
谷川 高穂
NEC
-
成竹 功夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
崎村 昇
NECシリコンシステム研究所
-
本田 雄士
NECシリコンシステム研究所
-
三浦 貞彦
NECシリコンシステム研究所
-
沼田 秀昭
NECシリコンシステム研究所
-
竹内 英代
Nec
-
國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
-
竹島 俊夫
NEC
-
俣野 達哉
NEC
-
高田 弘
NEC
-
藤田 真盛
NEC
-
佐伯 貴範
NEC
-
相崎 尚昭
NEC
-
梯 英一郎
NEC
-
益森 勝博
NEC
-
竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
笠井 直記
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
小山 邦明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
俣野 達哉
エルピーダメモリ
-
石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
-
宮永 恵子
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
巌 庄ー
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
小山 邦明
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
天野 実
東芝
-
藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
尾崎 康亮
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
-
俣野 達哉
Nec Corp.
-
藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
-
成竹 功夫
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
-
相崎 尚昭
日本電気
-
永原 聖万
Nec
-
石綿 延行
日本電気株式会社
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
-
深見 俊輔
NECA:東北大
-
與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
著作論文
- 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 強誘電体メモリーの基礎特性と今後の展開
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- 異方性選択エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAMコンタクト技術 : セルフアラインコンタクトパッドの形成