杉林 直彦 | Nec
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概要
関連著者
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杉林 直彦
Nec
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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木村 晋二
早稲田大学
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室谷 樹徳
Nec
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成竹 功夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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成竹 功夫
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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柳澤 政生
早稲田大学
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樺沢 皓介
早稲田大学理工学術院
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宇津木 智
NEC ULSIデバイス開発研究所
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相本 代志治
NEC
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古田 浩一朗
NEC
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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笠井 直記
日本電気(株)
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波田 博光
日本電気(株)
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平木 充
株式会社ルネサステクノロジ設計基盤開発部
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笠井 直記
Nec システムデバイス研
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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中瀬 泰伸
三菱電機システムLSI開発研究所
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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川嶋 将一郎
富士通研究所
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
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石橋 孝一郎
STARC
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平木 充
日立
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石井 智之
日立
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宮野 信治
東芝
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中島 謙
NEC Corporation
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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佐伯 貴範
日本電気株式会社
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平木 充
日立中央研究所
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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佐圓 真
日立製作所中央研究所
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菅原 寛
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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谷川 高穂
NEC
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國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
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竹島 俊夫
NEC
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俣野 達哉
NEC
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高田 弘
NEC
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藤田 真盛
NEC
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佐伯 貴範
NEC
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相崎 尚昭
NEC
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梯 英一郎
NEC
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益森 勝博
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス
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中瀬 泰伸
(株)ルネサステクノロジ
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石井 智之
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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中瀬 泰伸
三菱電機LSI研究所
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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笠井 直記
NEC ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
エルピーダメモリ
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
Nec Corp.
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藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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相崎 尚昭
日本電気
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竹内 健
東大
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川嶋 将一郎
富士通セミコンダクター(株)
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神田 和重
東芝
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篠崎 直冶
Spansion
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梶谷 一彦
エルピーダ
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柿原 俊男
HGST
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小林 三千夫
Spansion
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塚澤 寿夫
東芝
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佐圓 真
日立
著作論文
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- 大容量フラッシュメモリの可能性を探る : 進行するフラッシュ革命のインパクト(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- DRAMにおけるチップサイズ縮小時のFMM方式の検討
- 1Gb DRAMにおけるアレイノイズの解析
- DRAMにおけるフレキシブルマルチマクロ方式の効果
- フィルタ向け定数乗算のメモリベース実現による低電力化(システムと信号処理及び一般)
- フィルタ向け定数乗算のメモリベース実現による低電力化(システムと信号処理及び一般)
- フィルタ向け定数乗算のメモリベース実現による低電力化(システムと信号処理及び一般)
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