相本 代志治 | Necエレクトロニクス株式会社

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概要

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• Necエレクトロニクス株式会社の論文著者

関連著者

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 相本 代志治

  NEC

• 中澤 陽悦

  NEC

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  NEC

• 浜田 昌幸

  NEC

• 浜田 昌幸

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 岩崎 隆弘

  Nec情報システムズ

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 木村 亨

  Nec

• 岩崎 隆弘

  NEC情報システズ

• 木村 亨

  Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部

• 矢部 義一

  NEC

• 谷川 高穂

  NEC

• 中村 典嗣

  NEC

• 信澤 肇

  NEC

• 豊島 秀雄

  NEC

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 山品 正勝

  NEC

• 野田 研二

  NEC

• 藤田 善弘

  NEC C&Cイノベーション研究所

• 萩原 靖彦

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 山品 正勝

  Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 山品 正勝

  Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部

• 山品 正勝

  Nec シリコンシステム研究所

• 本村 真人

  NEC

• 本村 真人

  NECシリコンシステム研究所

• 藤井 太郎

  NEC

• 滝澤 哲郎

  NEC

• 宮本 龍哉

  NEC情報システムズ

• 長井 信孝

  NEC

• 藤井 太郎

  NECシリコンシステム研究所

• 本村 真人

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 滝澤 哲郎

  Nec C&c 研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 藤田 善弘

  日本電気株式会社

• 藤田 善弘

  NECインキュベーションセンター

• 益岡 宗明

  Nec

• 藤田 善弘

  日本電気株式会社情報メディア研究所

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 藤田 善弘

  Nec

• 伊藤 信哉

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 益岡 完明

  NEC

• 古賀 拓也

  NECエレクトロニクス自動車システム事業部

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 塀内 秀樹

  NEC

• 東郷 光洋

  Nec

• 小山 邦明

  NEC

• 塀内 秀樹

  NEC Corporation

• 古賀 拓也

  Nec

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 松井 孝二郎

  NEC

• 中川 敦

  NEC

• 下川 健寿

  NEC

• 高橋 弘行

  NEC

• 萩原 靖彦

  NEC

• 堀内 忠彦

  NEC Corporation

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 小畑 弘之

  NECエレクトロニクス

• 室谷 樹徳

  Nec

• 岩崎 隆弘

  NEC 情報システムズ

• 竹島 俊夫

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 野村 昌弘

  Nec

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 萩原 靖彦

  日本電気株式会社

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社

• 中澤 陽悦

  日本電気株式会社

• 本村 真人

  Nec シリコンシステム研究所

• 池永 佳史

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 池永 佳史

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 武田 晃一

  日本電気株式会社

• 石井 利生

  NECエレクトロニクス

• 石川 勝之

  NEC

• 斉藤 寿男

  ルネサスエレクトロニクス

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 岡崎 信一郎

  NECシステムIPコア研究所

• 古田 浩一朗

  NEC

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 波田 博光

  NECシリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 広田 義則

  NEC

• 木村 真人

  NEC

• 笠井 直記

  Nec システムデバイス研

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 広田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 吉田 宗一郎

  Necエレクトロニクス

• 中島 謙

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中島 謙

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 謙

  NEC Corporation

• 中村 和之

  日本電気株式会社

• 岡崎 信一郎

  NEC 情報メディア研究所

• 佐伯 貴範

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 杉林 直彦

  Nec

• 浜田 健彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山下 信行

  NECメディア情報研究所

• 菅原 寛

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 廣田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 真鍋 尚

  NEC

• 芝原 健太郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 内田 良一

  NEC

• 斉藤 寿男

  NEC

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 成竹 功夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 國尾 武光

  Nec マイクロエレクトロニクス研

• 俣野 達哉

  NEC

• 高田 弘

  NEC

• 藤田 真盛

  NEC

• 佐伯 貴範

  NEC

• 相崎 尚昭

  NEC

• 梯 英一郎

  NEC

• 益森 勝博

  NEC

• 浜田 健彦

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 笠井 直記

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 俣野 達哉

  エルピーダメモリ

• 藤田 真盛

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 俣野 達哉

  Nec Corp.

• 岡崎 信一郎

  Necシステムipコア研究所:(現)ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部先行研究統括部

• 藤田 真盛

  日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部

• 成竹 功夫

  日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部

• 山下 信行

  NEC Corp.

• 相崎 尚昭

  日本電気

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 野村 昌弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 武田 晃一

  ルネサスエレクトロニクス

• 朝山 忍

  ルネサスエレクトロニクス

• 相本 代志治

  ルネサスエレクトロニクス

• 小畑 弘之

  ルネサスエレクトロニクス

• 伊藤 信哉

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
• 圧縮/伸張器混載DRAM
• 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(3)
• 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(2) : DARM部について
• 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(1)
• 圧縮/伸張器混載DRAM
• 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
• 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術
• サブ100nm世代におけるGHz動作SRAMマクロのためのセンス方式(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
• 128-PEと16-Mb DRAMを集積化した並列画像処理メモリ
• 並列画像処理メモリPIP-RAM(3) : 動作速度及び消費電力について
• 並列画像処理メモリPIP-RAM(2) : メモリ部の回路方式
• 並列画像処理メモリPIP-RAM(1)
• 64Mb高速DRAMマクロの開発
• C-12-75 高速64Mb DRAMマクロの開発(3) : アレイ部の高速化技術
• C-12-74 高速64Mb DRAMマクロの開発(2) : 制御回路部の高速化
• C-12-73 高速64MbDRAMマクロの開発(1) : チップ構成及び性能ついて
• 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• メモリ集積型プロセッサIMAP-LSI
• プロセスの微細化に伴うデバイスばらつきの回路動作への影響
• 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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