小畑 弘之 | NECエレクトロニクス
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概要
関連著者
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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小畑 弘之
NECエレクトロニクス
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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萩原 靖彦
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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野村 昌弘
STARC
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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武田 晃一
NEC
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萩原 靖彦
NEC
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中澤 陽悦
NEC
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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石井 利生
NECエレクトロニクス
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伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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野村 昌弘
NECシステムデバイス研究所
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萩原 靖彦
NECシステムデバイス研究所
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池田 秀寿
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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池田 秀寿
NECシステムデバイス研究所
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野村 昌弘
Nec
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池田 秀寿
中央大学
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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斉藤 寿男
ルネサスエレクトロニクス
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野村 昌弘
ルネサスエレクトロニクス
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武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
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朝山 忍
ルネサスエレクトロニクス
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相本 代志治
ルネサスエレクトロニクス
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小畑 弘之
ルネサスエレクトロニクス
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伊藤 信哉
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
著作論文
- 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)