伊藤 信哉 | NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

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概要

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• NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部の論文著者

関連著者

• 伊藤 信哉

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 相本 代志治

  NEC

• 武田 晃一

  NEC

• 中村 典嗣

  NEC

• 豊島 秀雄

  NEC

• 岩崎 隆弘

  NEC情報システズ

• 野田 研二

  NEC

• 松井 孝二郎

  NEC

• 益岡 完明

  NEC

• 中川 敦

  NEC

• 下川 健寿

  NEC

• 高橋 弘行

  NEC

• 堀内 忠彦

  NEC Corporation

• 岩崎 隆弘

  Nec情報システムズ

• 益岡 宗明

  Nec

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 戸田 昭夫

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 齋藤 武博

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 星野 隆道

  (株)NEC情報システムズ基盤ソフトウエア(事)

• 山本 一郎

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 麻多 進

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 伊藤 信哉

  日本電気

• 野口 江

  日本電気

• 堀内 忠彦

  日本電気

• 奥村 孝一郎

  日本電気

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 奥村 孝一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 小畑 弘之

  NECエレクトロニクス

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 斉藤 寿男

  ルネサスエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 武田 晃一

  ルネサスエレクトロニクス

• 朝山 忍

  ルネサスエレクトロニクス

• 相本 代志治

  ルネサスエレクトロニクス

• 小畑 弘之

  ルネサスエレクトロニクス

• 伊藤 信哉

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• 極微細MOSトランジスタのプロセス誘起応力に関する有限要素解析 : 有限要素応力解析と収束電子線回折によるその妥当性の検討(材料の内部構造と力学特性)
• 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
• オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価
• 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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