中村 典嗣 | NEC
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概要
関連著者
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相本 代志治
NEC
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武田 晃一
NEC
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中村 典嗣
NEC
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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豊島 秀雄
NEC
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岩崎 隆弘
Nec情報システムズ
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木村 亨
Nec
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木村 亨
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
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岩崎 隆弘
NEC情報システズ
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東郷 光洋
NECシリコンシステム研究所
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中澤 陽悦
NEC
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浜田 昌幸
NEC
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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浜田 昌幸
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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東郷 光洋
Nec
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谷川 高穂
NEC
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信澤 肇
NEC
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伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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野田 研二
NEC
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松井 孝二郎
NEC
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益岡 完明
NEC
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中川 敦
NEC
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下川 健寿
NEC
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高橋 弘行
NEC
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堀内 忠彦
NEC Corporation
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岩崎 隆弘
NEC 情報システムズ
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益岡 宗明
Nec
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中沢 陽悦
Nec Corporation
著作論文
- 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
- 64Mb高速DRAMマクロの開発
- C-12-75 高速64Mb DRAMマクロの開発(3) : アレイ部の高速化技術
- C-12-74 高速64Mb DRAMマクロの開発(2) : 制御回路部の高速化
- C-12-73 高速64MbDRAMマクロの開発(1) : チップ構成及び性能ついて
- プロセスの微細化に伴うデバイスばらつきの回路動作への影響