野田 研二 | NEC
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概要
関連著者
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野田 研二
NEC
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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豊島 秀雄
NEC
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中村 和之
NECシリコンシステム研究所
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武田 晃一
NEC
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中村 和之
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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清水 俊行
Nec
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相本 代志治
NEC
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岸本 光司
Nec
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大窪 宏明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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内田 哲弥
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井谷 俊郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
Nec
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渡嘉敷 健
Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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井谷 俊郎
Selete
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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大窪 宏明
Nec
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井谷 俊郎
Nec
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益岡 宗明
Nec
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内田 哲弥
Nec
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益岡 完明
NEC
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中村 和之
NEC Corporation
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伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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中村 典嗣
NEC
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岩崎 隆弘
NEC情報システズ
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松井 孝二郎
NEC
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中川 敦
NEC
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下川 健寿
NEC
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高橋 弘行
NEC
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豊島 秀雄
NECシリコンシステム研究所
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武田 晃一
NECシリコンシステム研究所
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野田 研二
NEC ULSIデバイス開発研究所
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清水 俊行
NEC 第2メモリ事業部
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岸本 光司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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堀内 忠彦
NEC Corporation
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岩崎 隆弘
Nec情報システムズ
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室谷 樹徳
Nec
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竹島 俊夫
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石川 勝之
NEC
著作論文
- 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
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