中村 和之 | NEC Corporation

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概要

• 同名の論文著者
• NEC Corporationの論文著者

関連著者

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 武田 晃一

  NEC

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 野田 研二

  NEC

• 相本 代志治

  NEC

• 豊島 秀雄

  NEC

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 四柳 道夫

  NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 中村 和之

  日本電気(株)

• 四柳 道夫

  Necエレクトロニクス(株)

• 四柳 道夫

  Nec

• 深石 宗生

  NEC Corporation

• 四柳 道夫

  NEC Corporation

• 中村 和之

  九州工大

• 清水 俊行

  Nec

• 岸本 光司

  Nec

• 木村 亨

  Nec

• 木村 亨

  Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部

• 大窪 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 内田 哲弥

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  Nec

• 渡嘉敷 健

  Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 山崎 亨

  NEC

• 山崎 亨

  Nec 先端デバイス開発本部

• 吉田 宏

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  Selete

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  NECULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大窪 宏明

  Nec

• 吉田 宏

  Nec 先端デバイス開発本部

• 鈴木 久満

  Nec 先端デバイス開発本部

• 高田 正日出

  NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部

• 高田 正日出

  Nec

• 井谷 俊郎

  Nec

• 室谷 樹徳

  Nec

• 久原 茂

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 益岡 宗明

  Nec

• 石川 勝之

  NEC

• 内田 哲弥

  Nec

• 益岡 完明

  NEC

• 岡崎 信一郎

  NECシステムIPコア研究所

• 藤田 善弘

  NEC C&Cイノベーション研究所

• 岡村 均

  Nec

• 山品 正勝

  NEC

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 広田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 中村 和之

  日本電気株式会社

• 岡崎 信一郎

  NEC 情報メディア研究所

• 筒井 豊

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 佐藤 政春

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 岸 修司

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 佐藤 政春

  NEC Corporation

• 筒井 豊

  NEC Corporation

• 岸 修司

  NEC Corporation

• 藤田 善弘

  日本電気株式会社

• 山下 信行

  NECメディア情報研究所

• 廣田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 真鍋 尚

  NEC

• 藤田 善弘

  NECインキュベーションセンター

• 塀内 秀樹

  NEC Corporation

• 広田 義則

  NEC Corporation

• 池野 英徳

  NEC Corporation

• 葉山 浩

  NEC Corporation

• 葉山 浩

  NECエレクトロニクス

• 永里 壮一

  日本電気株式会社

• 永里 壮一

  NEC Corporation

• 岡崎 信一郎

  Necシステムipコア研究所:(現)ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部先行研究統括部

• 藤田 善弘

  日本電気株式会社情報メディア研究所

• 山下 信行

  NEC Corp.

• 藤田 善弘

  Nec

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著作論文

• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
• 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
• 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(1) : 全体構成
• PLLによるクロック比例タイミング発生回路を搭載した220MHzパイプライン動作の16Mb BiCMOS SRAM
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• メモリ集積型プロセッサIMAP-LSI
• 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
• 非同期ツリー型構造を用いた5Gb/s動作のCMOS1:8DEMUX 回路

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