鈴木 久満 | Nec 先端デバイス開発本部

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概要

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関連著者

• 鈴木 久満

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  Nec 先端デバイス開発本部

• 山崎 亨

  Nec 先端デバイス開発本部

• 吉田 宏

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 吉田 宏

  Nec 先端デバイス開発本部

• 木下 靖

  NEC

• 鈴木 久満

  NECULSIデバイス開発研究所

• 山崎 亨

  NEC

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 四柳 道夫

  NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 木下 靖

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  Selete

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 四柳 道夫

  Necエレクトロニクス(株)

• 中村 聡

  日本電気株式会社

• 山崎 亨

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  Nec

• 宮本 秀信

  Nec

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 井谷 俊郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 田代 勉

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 熊谷 浩一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 逸見 直也

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山田 和志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 岩城 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 黒沢 晋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 四柳 道夫

  Nec

• 中村 聡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高田 正日出

  NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部

• 高田 正日出

  Nec

• 久原 茂

  NEC

• 藤井 宏基

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 末村 剛彦

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 末村 剛彦

  NEC Corporation

• 田島 章雄

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  NECシリコンシステム研究所

• 木村 亨

  Nec

• 木村 亨

  Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部

• 熊谷 浩一

  NECULSIデバイス開発研究所

• 岩城 宏明

  NECULSIデバイス開発研究所

• 吉田 宏

  NECULSIデバイス開発研究所

• 山田 和志

  NECULSIデバイス開発研究所

• 黒沢 晋

  NECULSIデバイス開発研究所

• 逸見 直也

  Nec C&cメディア研

• 逸見 直也

  日本電気株式会社c&cメディア研究所

• 深石 宗生

  Nec

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 中村 聡

  NEC Corporation

• 田島 章雄

  Nec

• 武田 晃一

  NEC

• 豊島 秀雄

  NEC

• 岡村 均

  Nec

• 佐藤 文彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 逸見 直也

  日本電気(株)

• 四柳 道夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  日本電気(株)

• 四柳 道夫

  日本電気(株)

• 田島 章雄

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 逸見 直也

  日本電気(株)c&cメディア研究所

• 深石 宗生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 佐藤 文彦

  Nec 先端デバイス開発本部

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 末村 剛彦

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 田島 章雄

  日本電気(株)

• 中村 和行

  NEC

• 橋本 隆介

  NECエレクトロニクス(株)

• 中村 聡

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 木下 靖

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 宮本 秀信

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 亨

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 橋本 隆介

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 佐藤 文彦

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 青山 亨

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 鈴木 久満

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 吉田 宏

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 藤井 宏基

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 山崎 亨

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 宮本 秀信

  日本電気(株)necエレクトロンディバイス 光端デバイス開発本部 高集積技術gr

• 山崎 亨

  日本電気(株) 超lsi開発本部

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著作論文

• 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成
• SC-12-7 2.125Gb/s BiCMOS ファイバチャネル送信LSI
• AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
• 4 Gb/s光データリンク用BiCMOS PLL回路 : クロック逓倍回路、クロック抽出回路
• 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成
• 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成
• ワード線リセットコライズによる大容量SRAMの高速化技術
• PLLによるクロック比例タイミング発生回路を搭載した220MHzパイプライン動作の16Mb BiCMOS SRAM
• AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
• SiGeBiCMOS技術における熱処理トレードオフおよびボロンスパイク効果低減の検討
• リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
• リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
• リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
• 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術

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