山田 和志 | Nec Ulsiデバイス開発研究所

スポンサーリンク

概要

• 山田 和志の詳細を見る
• 同名の論文著者
• Nec Ulsiデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 熊谷 浩一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 山田 和志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 黒沢 晋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岩城 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 宏

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 宏

  Nec 先端デバイス開発本部

• 鈴木 久満

  Nec 先端デバイス開発本部

• 熊谷 浩一

  NECULSIデバイス開発研究所

• 岩城 宏明

  NECULSIデバイス開発研究所

• 吉田 宏

  NECULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  NECULSIデバイス開発研究所

• 山田 和志

  NECULSIデバイス開発研究所

• 黒沢 晋

  NECULSIデバイス開発研究所

• 黒澤 晋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岩城 宏明

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 熊谷 浩一

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 山田 和志

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 黒澤 晋

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成
• ビット線と疑似GND線のイコライズによるSRAMの小振幅書き込み方式
• 低電圧SRAMマクロの速度ばらつき低減設計法
• コンパイルドSRAMマクロの低消費電力化
• 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成
• 疑似電源線クランプ方式を用いた低Vt CMOS回路向けパワーダウン構成

スポンサーリンク