岡村 均 | Nec
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概要
関連著者
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岡村 均
Nec
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山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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高田 正日出
Nec
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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木下 靖
NEC
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今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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豊島 秀雄
NEC
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吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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中村 聡
日本電気株式会社
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吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
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小栗 隆
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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高田 正日出
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部
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小栗 隆司
Nec マイクロエレクトロニクス研
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木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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高田 正日出
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
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岡村 均
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
豊島 秀雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
中村 聡
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
今井 清隆
ULSIデバイス開発研究所
-
木下 靖
ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
ULSIデバイス開発研究所
-
岡村 均
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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小栗 隆司
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 宏
ULSIデバイス開発研究所
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中村 和之
NECシリコンシステム研究所
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武田 晃一
NEC
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中村 和之
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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豊島 秀雄
NEC Corporation
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山崎 亨
NEC
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厚母 敬生
NEC光エレクトロニクス研究所
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鈴木 久満
NECULSIデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中村 和之
NEC Corporation
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多胡 州星
日本電気株式会社
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鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
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厚母 敬生
Nec マイクロエレクトロニクス研究所
-
岡村 均
NEC システムASIC事業部
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豊島 秀雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小栗 隆
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
中村 聡
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉田 宏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
久原 茂
NEC
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岡村 均
NEC日本電気株式会社
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武田 晃一
NEC日本電気株式会社
-
中村 聡
NEC日本電気株式会社
-
豊島 秀雄
NEC日本電気株式会社
-
高田 正日出
NEC日本電気株式会社
-
今井 清隆
NEC日本電気株式会社
-
木下 靖
NEC日本電気株式会社
-
吉田 宏
NEC日本電気株式会社
-
山崎 亨
NEC日本電気株式会社
-
多胡 州星
NEC日本電気株式会社
-
小林 正治
NEC日本電気株式会社
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武田 晃一
NEC Corporation
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岡村 均
NEC Corporation
-
中村 聡
NEC Corporation
-
高田 正日出
NEC Corporation
-
今井 清隆
NEC Corporation
-
木下 靖
NEC Corporation
-
山崎 亨
NEC Corporation
著作論文
- チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
- PMOSアクセスメモリセルを使用した超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 「パズルコンセプト」 : CM0Sに比較して消費電力、集積度、コスト共に優れたLSIを提供するBiCMOS LSIのデザインコンセプト
- 低電圧BiCMOS用チャージポンプ回路
- 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)