田代 勉 | NEC ULSIデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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田代 勉
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
佐藤 文彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
辰巳 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
佐藤 文彦
Nec 先端デバイス開発本部
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手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
-
木下 靖
NEC
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木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
-
鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
-
山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
橋本 隆介
NECエレクトロニクス(株)
-
藤井 宏基
NEC ULSIデバイス開発研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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森川 武則
Nec C&cメディア研究所
-
江村 克己
Nec C&cメディア研究所
-
江村 克己
Nec光エレクトロニクス研究所
-
手塚 宏
NEC光エレクトロニクス研究所
-
早田 征明
NEC光エレクトロニクス研究所
-
塩入 智美
日本電気(株) C&cメディア研究所
-
中村 聡
日本電気株式会社
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早田 征明
Necエレクトロニクス(株)
-
辰巳 徹
日本電気(株)
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森川 武則
NEC C&Cメディア研究所
-
早田 征明
NEC C&CLSI開発本部
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塩入 智美
NEC C&Cメディア研究所
-
橋本 隆介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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手塚 宏
日本電気(株)C&Cメディア研究所
-
洲崎 哲行
日本電気(株)C&Cメディア研究所
-
手塚 宏
NEC C&Cメディア研究所
-
辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
-
塩入 智美
NEC光エレクトロニクス研究所
-
森川 武則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
早田 征明
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
洲崎 哲行
NEC光エレクトロニクス研究所
-
森川 武則
日本電気(株)C&Cメディア研究所
-
橋本 隆介
日本電気(株)ULISデバイス開発研究所
-
佐藤 文彦
日本電気(株)ULISデバイス開発研究所
-
田代 勉
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
中村 聡
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
早田 征明
日本電気光エレクトロニクス研究所
-
手塚 宏
日本電気光エレクトロニクス研究所
-
佐藤 文彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
橋本 隆介
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
中村 聡
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
-
辰巳 徹
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
-
洲崎 哲行
日本電気光エレクトロニクス研究所
-
田代 勉
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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江村 克己
Nec C&cメディア研
-
辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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早田 征明
日本電気(株)c&c Lsi開発本部
-
手塚 宏
日本電気(株)c&cメディア研究所
著作論文
- SiGe/Siフォトディテクタ搭載1Gb/sx8チャネルSi-OEICの開発
- SiGe/Siフォトディテクタ搭載1 Gb/s動作8チャネル並列光伝送型OEIC
- 2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- 20Gb/s光送信器用SiGe-HBTディジタルIC
- 20Gb/s光受信器用アナログSi-IC
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術