中村 和之 | 日本電気(株)

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概要

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関連著者

• 中村 和之

  日本電気(株)

• 中村 和之

  九州工大

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 四柳 道夫

  NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部

• 四柳 道夫

  Necエレクトロニクス(株)

• 四柳 道夫

  Nec

• 深石 宗生

  日本電気(株)

• 深石 宗生

  日本電気株式会社

• 深石 宗生

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 中村 和之

  日本電気株式会社

• 四柳 道夫

  日本電気(株)

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 広田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 廣田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 四柳 道夫

  日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部

• 四柳 道夫

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 筒井 豊

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 佐藤 政春

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 岸 修司

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 山口 晃一

  日本電気株式会社

• 広田 義則

  日本電気株式会社

• 深石 宗生

  NEC Corporation

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 四柳 道夫

  NEC Corporation

• 阪本 雄彦

  日本電気株式会社

• 秋山 直人

  日本電気(株)

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 佐々木 純一

  山梨日本電気株式会社光モジュール開発グループ

• 佐々木 純一

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 松本 明

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 吉川 隆士

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 加美 伸治

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 加美 伸治

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  日本電気株式会社

• 田中 敬

  Nec生産技術研究所

• 山口 晃一

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 松本 明

  日本電気(株)

• 三好 一徳

  日本電気(株)システムプラットフォーム研究所

• 杉本 宝

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 畠山 意知郎

  日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所

• 三好 一徳

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 佐々木 純一

  日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所

• 中村 和之

  九州工業大学

• 畠山 意知郎

  日本電気株式会社

• 田中 敬

  日本電気株式会社生産技術研究所

• 三好 一徳

  光・超高周波デバイス研究所

• 広田 義則

  日本電気(株)

• 中沢 陽悦

  日本電気(株)

• 塀内 秀樹

  NEC Corporation

• 池野 英徳

  NEC Corporation

• 葉山 浩

  NEC Corporation

• 葉山 浩

  NECエレクトロニクス

• 山口 晃一

  日本電気(株)

• 阪本 雄彦

  日本電気(株)

• 杉本 宝

  NEC光デバイス事業部

• 永里 壮一

  日本電気株式会社

• 杉本 宝

  日本電気株式会社

• 加美 伸治

  NECクラウドシステム研究所:東京大学先端科学技術研究センター

• 佐々木 純一

  日本電気株式会社

• 加美 伸治

  日本電気株式会社

• 棚橋 俊夫

  NECコンピュータ事業部

• 栗栖 正和

  NECシステムULSI開発本部

• 山口 博史

  NECコンピュータ事業部

• 根立 貴章

  NECコンピュータ事業部

• 新井 雅裕

  NECコンピュータ事業部

• 泊 史朗

  NECコンピュータ事業部

• 松崎 勉

  NECシステムULSI開発本部

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  NECシリコンシステム研究所

• 楢本 真三

  NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部

• 佐藤 隆徳

  NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部

• 松本 明

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 泊 史朗

  日本電気株式会社

• 山口 博史

  日本電気株式会社

• 中澤 陽悦

  日本電気株式会社

• 葉山 浩

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  Necシステムプラットフォーム研究所

• 安彦 仁

  日本電気株式会社

• 蔵田 和彦

  日本電気 ナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 政春

  NEC Corporation

• 筒井 豊

  NEC Corporation

• 岸 修司

  NEC Corporation

• 根立 貴章

  日本電気株式会社

• 塀内 秀樹

  日本電気株式会社

• 池野 英徳

  日本電気株式会社

• 広田 義則

  NEC Corporation

• 秋山 直人

  日本電気株式会社

• 永里 壮一

  NEC Corporation

• ルノワ パトリック

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• ルノワ パトリック

  Nec

• 蔵田 和彦

  日本電気(株)グリーンイノベーション研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

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著作論文

• プロセッサ間通信向けの2Gb/s×21CH低レイテンシ・トランシーバ回路の開発 (「VLSI一般」)
• 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
• 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
• 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
• 4.25Gb/s CMOS ファイバチャネルトランシーバLSI
• 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
• OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s16×16クロスポイントスイッチ
• OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s 16×16クロスポイントスイッチ
• 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
• 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
• C-12-17 CMOS高速クロック&データリカバリ回路の開発
• C-12-13 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
• 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(2)
• 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(1) : 全体構成
• フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発 (「VLSI一般」)
• フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発
• C-12-11 フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz 4相クロック発生回路の開発
• 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
• C-12-59 高速PLLにおける回路遅延による位相余裕の劣化とその影響
• 非同期ツリー型構造を用いた5Gb/s動作のCMOS1:8DEMUX 回路
• LSI上の配線におけるインダクタンス効果を組み込んだRC等価遅延モデリング

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