渡嘉敷 健 | Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部の論文著者

関連著者

• 渡嘉敷 健

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  Nec

• 渡嘉敷 健

  Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 清水 俊行

  Nec

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  NEC

• 野田 研二

  NEC

• 岸本 光司

  Nec

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 大窪 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 内田 哲弥

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  Selete

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 大窪 宏明

  Nec

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 井谷 俊郎

  Nec

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 内田 哲弥

  Nec

• 豊島 秀雄

  NECシリコンシステム研究所

• 武田 晃一

  NECシリコンシステム研究所

• 野田 研二

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 清水 俊行

  NEC 第2メモリ事業部

• 岸本 光司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 武田 晃一

  NEC

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 浜田 昌幸

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐藤 聖幸

  NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 芝原 健太郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 巌 庄一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 巌 庄ー

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 宮本 秀信

  Nec

• 佐藤 聖幸

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
• RuO2ドライエッチングにおける塩素添加効果 : 導電性酸化膜から成るGbクラスDRAM容量電極の微細加工方法
• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術

スポンサーリンク