RuO2ドライエッチングにおける塩素添加効果 : 導電性酸化膜から成るGbクラスDRAM容量電極の微細加工方法
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概要
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RuO2のドライエッチングにおいて酸素ガスに微量の塩素ガスを添加することで、エッチレートが急激に増加する現象を見いだした。この増加現象を調べた結果、エッチングはイオンアシスト反応によって進行するが、その反応確率は塩素添加プラズマのほうが酸素プラズマに比べ高いことがわかった。さらに、X線光電子分光法(XPS)を用いたin-situ表面分析により、塩素の添加率が75%と高添加率にも関わらず、表面上のCl2p相対強度比は5%以下と極めて低いこと及び表面はRuO2に近い状態を保持していることが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-17
著者
-
宮本 秀信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
Nec
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渡嘉敷 健
Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部
-
佐藤 聖幸
NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
-
宮本 秀信
Nec
-
佐藤 聖幸
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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