林 喜宏 | ルネサスエレクトロニクス
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概要
関連著者
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
肱岡 健一郎
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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風間 賢也
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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桑原 愼一
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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渡會 雅敏
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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佐甲 隆
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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小倉 卓
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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坂本 美里
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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小倉 卓
(株)genusion
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風間 賢也
NECマイクロコンピュータ事業部
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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野村 昌弘
STARC
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長谷 卓
日本電気システムデバイス研究所
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南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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井口 学
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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小畑 弘之
NECエレクトロニクス
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
佐甲 隆
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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金子 貴昭
立命館大学文学研究科 アート・リサーチセンター
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金子 貴昭
日本学術振興会
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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南雲 俊治
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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斉藤 寿男
ルネサスエレクトロニクス
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野村 昌弘
ルネサスエレクトロニクス
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本多 広一
ルネサスエレクトロニクス実装・テスト技術統括部
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朝山 忍
ルネサスエレクトロニクス
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相本 代志治
ルネサスエレクトロニクス
-
小畑 弘之
ルネサスエレクトロニクス
-
伊藤 信哉
ルネサスエレクトロニクス
-
井口 学
ルネサスエレクトロニクスデバイス・解析技術統括部
-
長谷 卓
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
植木 誠
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
山本 博規
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
堀越 賢剛
ルネサスエレクトロニクスプラットフォームインテグレーション統括部
-
齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
白井 浩樹
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
白井 治樹
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOチャネルの酸素制御と Gate/Drain Offset 構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス