南雲 俊治 | ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

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概要

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• 同名の論文著者
• ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部の論文著者

関連著者

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 南雲 俊治

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス

• 長谷 卓

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

著作論文

• RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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