RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ランダムテレグラフノイズのトラップ位置、エネルギー、振幅、時定数の分布およびそれらの相関について、多数のトラップを個々に評価することにより調査した。トラップエネルギーの分布に不均一性が見られること、また、弾性トンネルに基づくモデルとは異なり、トラップ位置と時定数が無相関であることがわかった。
- 2011-01-24
著者
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
長谷 卓
日本電気システムデバイス研究所
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
南雲 俊治
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
-
長谷 卓
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
関連論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.15μm CMOSトランジスタの特性
- C-12-36 微細CMOS大容量SRAMの高速化のための差動構成オフセットキャンセル型センスアンプ(DOCSA)(C-12.集積回路,一般セッション)
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式(学生・若手研究会)
- C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- しきい電圧可変完全空乏型SOIMOSFETのしきい電圧調整範囲
- しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲
- フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価 (シリコン材料・デバイス)
- EB直描を用いた先端デバイスの試作
- 低誘電率有機膜に銅を埋め込んだ高性能配線プロセスの開発
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
- 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSデバイスのばらつき(招待講演,学生・若手研究会)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOチャネルの酸素制御と Gate/Drain Offset 構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス