MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響
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概要
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MOSFETの飽和ドレイン、チャネル長、ゲートバイアスとの間に成り立つ単純かつ普遍的な関係を見いだした。この関係は簡単なモデルにより記述することができ、その妥当性をシミュレーションにより確認した。モデルによると、速度飽和領域の長さL_SAT>は移動度や飽和速度と同様、素子性能に大きく影響する。例えば、短チャネル効果の抑制はL_SAT>の縮小を伴うため、スケーリング時にLの縮小による電流の増大効果はほとんど減殺される。このため、駆動能力向上は概ねゲート緑縁膜の薄膜化のみによってもたらされる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
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