新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
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概要
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- 2008-03-06
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
角村 貴昭
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
蒲原 史朗
MIRAI-Selete
-
竹内 潔
日本電気
-
深井 利憲
MIRAI-Selete
-
プトラ アリフィン・タムシル
東京大学
-
平本 俊郎
東大
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
深井 利憲
Necエレクトロニクス
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
平本 俊郎
東京大学
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