(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)

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概要

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• (110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる.ナノワイヤFETはゲートオールアラウンド(GAA)構造を有しており,移動度測定用にマルチチャネルを有している.[110]方向のナノワイヤpFETでは,側面に(100)面が現れるが,高N_<inv>領域において(100)面に対して2.4倍もの移動度向上が得られることが明らかとなった.さらに,ひずみ効果も調べた結果,[110]方向が最適にナノワイヤpFETのチャネル方向であることを明らかにした.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-07-09

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東大

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 陳 杰智

  東京大学生産技術研究所

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

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