減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
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概要
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減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコンポイントコンタクトチャネルMOSFETを作製し, 室温でクーロンブロッケード振動を観測することに成功した。作製したデバイスの中には、室温でのクーロンブロッケード振動の電流山谷比が2と非常に大きく、一電子付加エネルギーが250meVを超えるデバイスや、低温でドット中の量子準位の離散性に起因する階段状特性を示すデバイスも存在した。ドットとトンネル障壁の形成機構は未解明であり、今後さらなる研究が必要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-22
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
高橋 信義
松下電器産業K.K
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高橋 信義
東京大学生産技術研究所
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