齋藤 真澄 | 東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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筒井 元
東京大学生産技術研究所
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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高橋 信義
松下電器産業K.K
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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間島 秀明
東京大学 生産技術研究所
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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王 海寧
東京大学 生産技術研究所
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後明 寛之
東京大学 生産技術研究所
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齋藤 真澄
東京大学 生産技術研究所
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永田 英次
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小池 三夫
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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間島 秀明
東京大学生庭技術研究所
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王 海寧
東京大学生産技術研究所
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後明 寛之
東京大学生産技術研究所
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犬飼 貴士
東京大学 生産技術研究所
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石黒 仁揮
K.K東芝
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高橋 信義
東京大学 生産技術研究所
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外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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原田 英浩
東京大学生産技術研究所
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高橋 信義
東京大学生産技術研究所
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原田 英浩
東京大学生産技術研究所:中央大学大学院理工学研究科
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平本 俊郎
東京大学 生産技術研究所:東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- 異方性エッチングにより作製したシリコン単電子トランジスタの室温動作 (マイクロマシン特集号)
- 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
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- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
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