極薄膜SOI層を有する超低消費電力用ディープサブ0.1μmMOSFET
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概要
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ディープサブ0.1μm世代の超低消費電力用MOSFETの設計指針を検討し, 極薄膜SOI層と比較的厚い埋込み酸化膜を有する完全空乏型SOI MOSFETを提案した.検討にあたってはサブスレッショルド係数に加えて不純物数の統計的揺らぎ等も考慮した.ディープサブ0.1μm世代ではゲート酸化膜厚が直接トンネルのためこれ以上スケールされないとすると, 従来のバルクMOSFETではサブスレッショルド係数の劣化やしきい値電圧ばらつきを抑えたままデバイスをスケールすることが困難である.完全空乏型SOI MOSFETでは, ノンドーブ極薄膜SOIにより短チャネル効果としきい値電圧ばらつきを抑え, また厚い埋込み酸化膜により長チャネルでのサブスレッショルド係数の劣化を抑制できる.本設計指針に基づく0.05μmMOSFETの構造とパラメータを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-25
著者
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