安田 有里 | 東京大学生産技術研究所:中央大学理工学研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京大学生産技術研究所:中央大学理工学研究所の論文著者

関連著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 高宮 真

  東京大学

• 高宮 真

  東京大学生産技術研究所

• 高宮 真

  東京大学 生産技術研究所

• 安田 有里

  東京大学生産技術研究所:中央大学理工学研究所

著作論文

• Vth揺らぎを抑制するデルタドープ型MOSFETのスケーリング
• 極薄膜SOI層を有する超低消費電力用ディープサブ0.1μmMOSFET
• 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較
• 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較
• 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較
• 低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較

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