グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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多層配線におけるLSIの動作消費電力削減を目的として,材料・プロセス・配線構造の統合設計により低実効誘電率(k_<eff>)配線(k_<eff>=2.67)を開発した.Low-k材料としては,分子細孔(MPS)-SiOCHを採用した.MPSはシリカ分子骨格としてサブナノメーターサイズの微細で独立した空孔(分子細孔)を有し,シリカ骨格を覆うように配置された炭化水素側鎖が,プラズマ処理に対してシリカ骨格を保護することで,高いk値安定性を示す膜である.また,MPS表面へのHeプラズマ処理による表面親水化処理と,低摩擦スラリーによる低欠陥MPSダイレクトCMPプロセス技術により,従来CMPプロセス時の保護膜として必要であった誘電率の高いハードマスクを不要とするフルMPS配線構造を実現した.材料・プロセス・配線構造からなる統合設計により実現したフルMPS配線構造にて,従来low-k膜(k=3.0)を適用した配線と比較して配線部の動作消費電力を15%低減できた.安定性に優れるフルMPS配線技術は32nmノード以降のLSIの低消費電力化に向けた有望な技術といえる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-02
著者
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
川原 潤
Necエレクトロニクス
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
-
肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
-
久米 一平
Necエレクトロニクス
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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