Si(111)表面酸化のTDS観察

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概要

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• Si表面の強化初期過程の動的挙動を明かにするために、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)を用いて酸素吸着量と基板温度の関係を調べた。広範囲で基板温度を変化させることにより、飽和吸着量は基板温度とともに急激に増加することが明らかになった。この依存性はLangmuir吸着では説明できず、不均一吸着を仮定したモデルでよく記述できることが明らかになった。これらの結果は初期酸化が不均一に進行することを示唆する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-04-21

著者

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 平山 博之

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 伊藤 文則

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 渡部 宏治

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

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