分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル
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概要
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データ保持によって引き起こされるインプリントがFeRAM動作に及ぼす影響をモデル化し、長期信頼性の予測手法を開発した。150℃、90日までの高温保管実験の結果に基づき、ヒステリシス形状をtanh関数で、インプリントによるヒステリシスのシフトをstretch exponentialで、シフトによって引き起こされる分極緩和の効果をtanh関数で定式化した。このモデルを用いて、データ保管時間に対して非線形的に変化するビット線電圧を予測することが可能となった。この手法により、2トランジスタ・2キャパシタセル構造における、長期信頼性評価を行うことが可能となった。Aサイト組成を変化させたPZT容量で、セル寿命を評価したところ、LaをドーピングしたPLZT容量で信頼性が向上することが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-08
著者
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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井上 尚也
NEC シリコンシステム研究所
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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