アルミリフロースパッタ埋め込みとCMPによる溝配線形成

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概要

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• デバイスの高集積化、高速化のために多層配線は必須となっているが、配線幅や配線ピッチの縮小により、層間膜形成、及び平坦化は因難を極め、配線工程は工程数の増大と工程の複雑化が進むばかりである。本報告では、配線工程を大幅に削減し、平坦化プロセスを簡略化する方法として、Alリフロースパッタ+CMP(Chemical Mechanical Polishing)^1)>を用いて埋め込み溝配線の多層配線を形成し、その電気特性評価を行なった。その結果、スパッタ埋め込みの溝配線では、従来構造に比べEM寿命が約10倍長くなること、また、1Alとの界面に研磨面を持つビア抵抗は、2Alもリフロースパッタ埋め込みを行なうことで、抵抗を大幅に減少できることが明らかになった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-01-28

著者

• 中島 務

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 菊田 邦子

  ULSIデバイス開発研究所

• 中島 務

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 上野 和良

  ULSIデバイス開発研究所

• 吉川 公磨

  ULSIデバイス開発研究所

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

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