InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低コストで形成可能なBEOLトランジスタのデバイス信頼性の改善検討について報告する。IGZOチャネルの膜中酸素状態の制御によって、過剰な膜中酸素に起因する深いドナー準位の生成が抑制可能で、デバイス動作の高温安定性や闘値シフトが大幅に改善する。ゲート/ドレイン間のオフセット構造化により、高V_d(〜20V)印加時のゲートリークの増大が抑制され、高V_dでの安定動作が得られる。IGZO膜の酸素制御とゲート/ドレインのオフセット構造化により、高耐圧インターフェイスとしてのBEOLトランジスタの高信頼化が実現できる。
- 2012-02-27
著者
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
川原 潤
Necエレクトロニクス
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
-
砂村 潤
日本電気株式会社
-
金子 貴昭
立命館大学文学研究科 アート・リサーチセンター
-
金子 貴昭
日本学術振興会
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
-
齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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